常用半导体器件及其基本特性与应用探讨

该思维导图概述了第5章常用半导体器件的基础知识与应用。主要包括半导体基础知识，如本征和杂质半导体的特性、PN结特性；半导体二极管的伏安特性、主要参数及应用；以及双极型晶体管的结构特征、输入与输出特性、三大工作区及核心参数。内容全面，涵盖了半导体器件的理论基础和实际应用。

源码

# 常用半导体器件及其基本特性与应用探讨
- 5.1 半导体基础知识
  - 本征半导体
    - 硅
      - 结晶结构
      - 电子-空穴对
    - 锗
      - 结晶结构
      - 电子-空穴对
  - 杂质半导体
    - N型半导体
      - 五价元素掺杂
      - 载流子浓度
    - P型半导体
      - 三价元素掺杂
      - 载流子浓度
  - PN结特性
    - 扩散运动
    - 漂移运动
    - 空间电荷区
    - 单向导电性
      - 正向偏置
      - 反向偏置
- 5.2 半导体二极管
  - 伏安特性
    - 正向特性
      - 死区电压
      - 正向电流增长
    - 反向特性
      - 反向击穿特性
      - 反向电流
  - 主要参数
    - 最大整流电流 (IF)
    - 反向击穿电压 (UBR)
    - 正向导通压降
  - 典型应用
    - 整流电路
      - 半波整流
      - 全波整流
    - 稳压电路
      - 稳压二极管
      - 稳定电压输出
- 5.3 双极型晶体管
  - 结构特征
    - 发射区
    - 基区
    - 集电区
    - 发射结
    - 集电结
  - 输入特性
    - IB-UBE关系
      - 死区电压
      - 导通压降
    - UCE≥1V时的特性
  - 输出特性
    - IC-UCE关系
      - IB恒定时的输出电流变化
  - 三大工作区
    - 放大区
      - 正偏工作点
      - 恒流特性 (IC=βIB)
      - UCE > UBE
    - 饱和区
      - 两结均正偏
      - UCE≈0.3V
      - IC与IB的关系
    - 截止区
      - 两结均反偏
      - IB与IC关系
      - 可靠截止条件 (UBE<0V)
  - 核心参数
    - 电流放大系数 (β)
    - 极间反向电流

图片